OVERVIEW
产品概况
PAg200 是面向功率半导体大尺寸芯片互连的低温低压烧结银浆，适用于 SiC MOSFET、IGBT、FRD 等芯片。针对大尺寸芯片烧结时局部应力、热膨胀失配导致芯片损害的问题，通过优化烧结活性、提高印刷平整性，在 200℃、5–8 MPa 低压力下即可快速烧结，形成高热导率、高连接强度的银烧结层，大幅降低芯片开裂风险。
HIGHLIGHTS
产品亮点
- 适用于 ≤10 mm × 10 mm 大尺寸功率芯片烧结
- 压力 5–8 MPa，显著降低 IGBT 芯片开裂风险
- 200 ℃ 低温银烧结连接，降低器件热应力
- 强度 ≥30 MPa，保证机械可靠性
- 热导率 ≥250 W/(m·K)
SPECIFICATIONS
产品特性
项目
参数
适配界面
Au、Ag、Cu
烧结氛围
N₂ / Air
外观
灰色
固含量 (wt.)
84–86%
粘度 25 ℃ · 5 rpm (mPa·s)
15,000–25,000
触变系数
5.5–7.0
应用方法
钢网印刷
CTE (ppm/K)
~19
热导率 W/(m·K)
≥250
保质期
6 个月
APPLICATION
推荐应用方式
① 钢网印刷
- 刮刀下压力 3 kg
- 刮刀速率 30 mm/s
- 脱模速度 0.4 mm/s
→
② 预干燥
- 温度 80 ℃ · 时间 20 min
- 气氛 N₂ / Air
→
③ 芯片热帖
- 温度 120 ℃ · 时间 0.5 s· 压力 3 kg
→
④ 加压烧结
- 温度 200 ℃ · 压力 5 MPa
- 时间 3 min
- 气氛 N₂ / Air
※ 以上为推荐工艺窗口，具体参数可联系技术支持工程师沟通，并根据具体应用要求进行调整。
PERFORMANCE
性能数据
印刷性能
印刷尺寸
10×10×0.1 mm
银溢出
<100 μm
表面气泡（单颗）
<100 μm
划痕
无
厚度一致性
±10 μm
烧结性能
工艺条件
5 MPa · 200 ℃ · 3 min
体孔隙率
<10%
断裂模式
韧性断裂
剪切强度
≥30 MPa
可靠性
测试项目
TST 温度冲击
温度范围
-40 ℃ / +150 ℃
循环次数
1000 cycles
分层率
<5%
立即申请样品
预约一对一服务沟通，我们承诺 48 小时内回复。